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Samsung内存
                  具体含义解释:
                  例:SAMSUNGK4H280838B-TCB0
                  主要含义:
                  第1位——芯片功能K,代表是内存芯片。
                  第2位——芯片类型4,代表DRAM。
                  第3位——芯片的更进一步的类型说明,S代表SDRAM、H代表DDR、G代表SGRAM。
                  第4、5位——容量和刷新速率,容量相同的内存采用不同的刷新速率,也会使用不同的编号。64、62、63、65、66、67、6A代表64Mbit的容量;28、27、2A代表128Mbit的容量;56、55、57、5A代表256Mbit的容量;51代表512Mbit的容量。
                  第6、7位——数据线引脚个数,08代表8位数据;16代表16位数据;32代表32位数据;64代表64位数据。
                  第11位——连线“-”。
                  第14、15位——芯片的速率,如60为6ns;70为7ns;7B为7.5ns(CL=3);7C为7.5ns(CL=2);80为8ns;10为10ns(66MHz)。
                  知道了内存颗粒编码主要数位的含义,拿到一个内存条后就非常容易计算出它的容量。例如一条三星DDR内存,使用18片SAMSUNGK4H280838B-TCB0颗粒封装。颗粒编号第4、5位“28”代表该颗粒是128Mbits,第6、7位“08”代表该颗粒是8位数据带宽,这样我们可以计算出该内存条的容量是128Mbits(兆数位)×16片/8bits=256MB(兆字节)。
                  注:“bit”为“数位”,“B”即字节“byte”,一个字节为8位则计算时除以8。关于内存容量的计算,文中所举的例子中有两种情况:一种是非ECC内存,每8片8位数据宽度的颗粒就可以组成一条内存;另一种ECC内存,在每64位数据之后,还增加了8位的ECC校验码。通过校验码,可以检测出内存数据中的两位错误,纠正一位错误。所以在实际计算容量的过程中,不计算校验位,具有ECC功能的18片颗粒的内存条实际容量按16乘。在购买时也可以据此判定18片或者9片内存颗粒贴片的内存条是ECC内存。

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Hynix(Hyundai)现代
                  现代内存的含义:
                  HY5DV641622AT-36
                  HYXXXXXXXXXXXXXXXX
                  123456789101112
                    1、HY代表是现代的产品
                    2、内存芯片类型:(57=SDRAM,5D=DDRSDRAM);
                    3、工作电压:空白=5V,V=3.3V,U=2.5V 
                    4、芯片容量和刷新速率:16=16Mbits、4KRef;64=64Mbits、8KRef;65=64Mbits、4KRef;128=128Mbits、8KRef;129=128Mbits、4KRef;256=256Mbits、16KRef;257=256Mbits、8KRef
                    5、代表芯片输出的数据位宽:40、80、16、32分别代表4位、8位、16位和32位
                    6、BANK数量:1、2、3分别代表2个、4个和8个Bank,是2的幂次关系
                    7、I/O界面:1:SSTL_3、 2:SSTL_2
                    8、芯片内核版本:可以为空白或A、B、C、D等字母,越往后代表内核越新
                    9、代表功耗:L=低功耗芯片,空白=普通芯片
                    10、内存芯片封装形式:JC=400milSOJ,TC=400milTSOP-Ⅱ,TD=13mmTSOP-Ⅱ,TG=16mmTSOP-Ⅱ
                    11、工作速度:55:183MHZ、5:200MHZ、45:222MHZ、43:233MHZ、4:250MHZ、33:300NHZ、L:DDR200、H:DDR266B、 K:DDR266A
现代的mBGA封装的颗粒
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Infineon(英飞凌)
Infineon是德国西门子的一个分公司,目前国内市场上西门子的子公司Infineon生产的内存颗粒只有两种容量:容量为128Mbits的颗粒和容量为256Mbits的颗粒。编号中详细列出了其内存的容量、数据宽度。Infineon的内存队列组织管理模式都是每个颗粒由4个Bank组成。所以其内存颗粒型号比较少,辨别也是最容易的。
                  HYB39S128400即128MB/4bits,“128”标识的是该颗粒的容量,后三位标识的是该内存数据宽度。其它也是如此,如:HYB39S128800即128MB/8bits;HYB39S128160即128MB/16bits;HYB39S256800即256MB/8bits。
                  Infineon内存颗粒工作速率的表示方法是在其型号最后加一短线,然后标上工作速率。
                  -7.5——表示该内存的工作频率是133MHz;
                  -8——表示该内存的工作频率是100MHz。
                  例如:
                  1条Kingston的内存条,采用16片Infineon的HYB39S128400-7.5的内存颗粒生产。其容量计算为:128Mbits(兆数位)×16片/8=256MB(兆字节)。
                  1条Ramaxel的内存条,采用8片Infineon的HYB39S128800-7.5的内存颗粒生产。其容量计算为:128Mbits(兆数位)×8片/8=128MB(兆字节)。


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KINGMAX、kti
KINGMAX内存的说明
Kingmax内存都是采用TinyBGA封装(Tinyballgridarray)。并且该封装模式是专利产品,所以我们看到采用Kingmax颗粒制作的内存条全是该厂自己生产。Kingmax内存颗粒有两种容量:64Mbits和128Mbits。在此可以将每种容量系列的内存颗粒型号列表出来。
                  容量备注:
                  KSVA44T4A0A——64Mbits,16M地址空间×4位数据宽度;
                  KSV884T4A0A——64Mbits,8M地址空间×8位数据宽度;
                  KSV244T4XXX——128Mbits,32M地址空间×4位数据宽度;
                  KSV684T4XXX——128Mbits,16M地址空间×8位数据宽度;
                  KSV864T4XXX——128Mbits,8M地址空间×16位数据宽度。
                  Kingmax内存的工作速率有四种状态,是在型号后用短线符号隔开标识内存的工作速率:
                  -7A——PC133/CL=2;
                  -7——PC133/CL=3;
                  -8A——PC100/CL=2;
                  -8——PC100/CL=3。
                  例如一条Kingmax内存条,采用16片KSV884T4A0A-7A的内存颗粒制造,其容量计算为:64Mbits(兆数位)×16片/8=128MB(兆字节)。
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Micron(美光)
                  以MT48LC16M8A2TG-75这个编号来说明美光内存的编码规则。
                  含义:
                  MT——Micron的厂商名称。
                  48——内存的类型。48代表SDRAM;46代表DDR。
                  LC——供电电压。LC代表3V;C代表5V;V代表2.5V。
                  16M8——内存颗粒容量为128Mbits,计算方法是:16M(地址)×8位数据宽度。
                  A2——内存内核版本号。
                  TG——封装方式,TG即TSOP封装。
                  -75——内存工作速率,-75即133MHz;-65即150MHz。
                  实例:一条MicronDDR内存条,采用18片编号为MT46V32M4-75的颗粒制造。该内存支持ECC功能。所以每个Bank是奇数片内存颗粒。
                  其容量计算为:容量32M×4bit×16片/8=256MB(兆字节)。
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Winbond(华邦)
                  含义说明:
                  WXXXXXXXX
                  12345
                  1、W代表内存颗粒是由Winbond生产
                    2、代表显存类型:98为SDRAM,94为DDRRAM
                    3、代表颗粒的版本号:常见的版本号为B和H;
                    4、代表封装,H为TSOP封装,B为BGA封装,D为LQFP封装
                    5、工作频率:0:10ns、100MHz;8:8ns、125MHz;Z:7.5ns、133MHz;Y:6.7ns、150MHz;6:6ns、166MHz;5:5ns、200MHZ
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Mosel(台湾茂矽)

台湾茂矽科技是台湾一家较大的内存芯片厂商,对大陆供货不多,因此我们熟悉度不够。这颗粒编号为V54C365164VDT45,从编号的6、7为65表示单颗粒为64/8=8MB,从编号的8、9位16可知单颗粒位宽16bit,从编号的最后3位T45可知颗粒速度为4.5ns


NANYA(南亚)、Elixir、PQI、PLUSS、Atl、EUDAR

                  南亚科技是全球第六大内存芯片厂商,也是去年台湾内存芯片商中唯一盈利的公司,它在全球排名第五位。这颗显存编号为NT5SV8M16CT-7K,其中第4位字母“S”表示是SDRAM显存,6、7位8M表示单颗粒容量8M,8、9位16表示单颗粒位宽16bit,-7K表示速度为7ns。
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AP、Whichip、Mr.STONE、Lei、GOLD

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M.tec(勤茂)、TwinMOS(勤茂)

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V-DATA(香港威刚)、A-DATA(台湾威刚)、VT

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内存颗粒编号为VDD8608A8A-6B H0327,是6纳秒的颗粒,单面8片颗粒共256M容量,0327代表它的生产日期为2003年第27周

A-DATA
这是A-DATA的DDR500
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[点击此处收藏本文]  发表于2004年07月31日 8:36 PM




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